光刻技術是首次推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅動力之一。近日，國芯北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，片領首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的得新微觀三維結構、界面分布與纏結行為，突破指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的首次產(chǎn)業(yè)化方案。相關論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。國芯

　　“顯影”是片領光刻的核心步驟之一，通過顯影液溶解光刻膠的得新曝光區(qū)域，將電路圖案精確轉移到硅片上。突破光刻膠如同刻畫電路的首次顏料，它在顯影液中的國芯運動，直接決定電路畫得準不準、片領好不好，得新進而影響芯片良率。突破長期以來，光刻膠在顯影液中的微觀行為是“黑匣子”，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復試錯，這成為制約7納米及以下先進制程良率提升的關鍵瓶頸之一。

　　為破解難題，研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術引入半導體領域。研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維“全景照片”，一舉克服了傳統(tǒng)技術無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。

　　彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應提供了強大工具。深入掌握液體中聚合物的結構與微觀行為，可推動先進制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關鍵工藝的缺陷控制與良率提升。

　　來源：科技日報

　　作者: 張蓋倫

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